40nm一体化刻蚀工艺技术研究

• 作者: 盖晨光
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 一体化刻蚀 金属硬掩模层 双大马士革 后道工艺(BEOL) 沟槽刻蚀
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 589-595
• 分类号: TN405
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.08.007

摘要

用金属硬掩模层(MHM)进行一体化(AIO)刻蚀的工艺是40 nm节点后道工序的关键工艺技术.阐述了40 nm低功耗芯片工艺研发过程中,一体化刻蚀工艺开发所遇到的诸多工艺难题,并对其产生的机理进行了深入分析.结合工艺设备与工艺特性,进行了刻蚀实验并对刻蚀工艺条件进行了优化,使用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对样品形貌进行了观测,采用电迁移测试结构对通孔样品的可靠性进行了测试,结果表明,氮化钛厚度、沟槽剖面形貌和顶部缺口形貌得到优化,双大马士革凹槽形貌、通孔剖面形貌以及通孔底部完整性得到较好控制,解决了氟化钛残留问题,有效解决了一体化刻蚀的工艺难题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	盖晨光		1	0	0.0	0.0