非晶InGaZnO薄膜晶体管驱动OLED像素电路的仿真研究

• 作者: 张丽 董承远 许玲
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶体铟镓锌氧化物 薄膜晶体管 有机发光二极管 像素电路
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 发光学应用及交叉前沿
• 页码范围: 1264-1268
• 页数: 5页
• 分类号: TN321+.5
• 字数: 2521字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143510.1264

摘要

为解决非晶InGaZnO薄膜晶体管(a-IGZO TFT)因其阈值电压漂移而导致的OLED电流衰减的问题,本文研究了基于a-IGZO TFT的有源矩阵有机发光显示(AMOLED)像素电路的阈值电压补偿问题.利用实验室制备的a-IGZO TFT器件进行参数提取后建立的SPICE仿真模型并进行仿真计算,对电压驱动型2T1C和4T1C的像素电路进行稳定性的比较研究,证明了4T1C电路对阈值漂移有非常好的补偿效果,并指出增加存储电容值和驱动TFT的宽长比可有效提高OLED电流的保持能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张丽	上海交通大学电子信息与电气工程学院电子工程系	73	269	10.0	14.0
2	董承远	上海交通大学电子信息与电气工程学院电子工程系	12	28	4.0	5.0
3	许玲	上海交通大学电子信息与电气工程学院电子工程系	2	4	1.0	2.0