溅射功率对脉冲磁控溅射沉积Cu2O薄膜结构和光学性能的影响

• 作者: 宋肇宁 彭柳军 杨培志 杨雯 自兴发 邓双
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Cu2O薄膜 溅射功率 表面粗糙度 光学带隙
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 1003-1008
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 3359字
• 语种: 中文

摘要

利用脉冲磁控溅射制备技术,采用单质金属铜靶作为溅射靶,在氧气(O2)和氩气(Ar)的混合气氛下,在石英玻璃衬底上制备了Cu2O薄膜.研究了溅射功率对脉冲反应磁控溅射沉积法在室温下对生长Cu2O薄膜结构、表面形貌及光学性能的影响.结果表明,在O2、Ar流量比(O2/Ar)为30∶80的气氛条件下,在60～90 W的溅射功率范围内可获得＜ 111＞取向的Cu2O薄膜;薄膜的表面粗糙度的均方根值随溅射功率的增加而增大;薄膜的光谱吸收范围为300 ～670 nm,不同溅射功率下制备的薄膜均在430 nm附近出现明显的带边吸收,其光学带隙(Eg)在2.15～2.53 eV之间变化.