PDP 列驱动芯片能量恢复效率模型

• 作者: 刘清惓 华国环
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 分析模型 PDP列驱动芯片 DPLD管 寻址功耗 能量恢复效率
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 器件驱动与控制
• 页码范围: 989-996
• 页数: 8页
• 分类号: TN43
• 字数: 4125字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20142906.0989

摘要

为了分析 PDP 列驱动芯片的能量恢复效率，提出了2种分析模型.DPLD(double-channel p-type lateral extended drain MOS)管是列驱动芯片中能量恢复电路的核心元器件.CRC(电容-电阻-电容)等效电路模型适用于漏电流能力较弱的 DPLD 管；VCCS(压控电流源)模型适用于漏电流能力较强的 DPLD 管；测试结果显示 CRC 和 VCCS 模型都具备较高的精度，模型误差分别是2.26％和4.04％.CRC 模型揭示了影响列驱动芯片能量恢复效率的因素有3个，分别是：充电时间、沟道电阻、负载电容.2种模型分析的对比结果表明，沟道电阻对列驱动芯片的能量恢复效率影响很大，使用较小沟道电阻的 DPLD 管可以显著提高 PDP 列驱动芯片的能量恢复效率.CRC 和 VCCS 模型可用于精确预测列驱动芯片的能量恢复效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘清惓	南京信息工程大学电子与信息工程学院	42	91	5.0	7.0
2	华国环	南京信息工程大学电子与信息工程学院	8	8	2.0	2.0