大功率660 nm半导体激光器的电流电压特性

• 作者: 张新 徐现刚 朱振 李沛旭 王钢
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 Zn扩散 电流电压特性 理想二极管 寄生效应
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 661-665
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.09.005

摘要

利用Zn扩散形成非吸收窗口技术,制备了大功率红光660 nm半导体激光器.对封装后的器件进行电流电压(Ⅰ-Ⅴ)特性测试.由于材料本身串联电阻的影响,半导体激光器的Ⅰ-Ⅴ曲线不再符合理想二极管Ⅰ-Ⅴ特性方程.通过数据拟合,得到半导体激光器的串联电阻约为0.5Ω.测试中还发现了两种异常Ⅰ-Ⅴ曲线,分别源于器件并联电阻及寄生二极管的影响.对每种Ⅰ-Ⅴ曲线建立了电路模型,并推导了Ⅰ-Ⅴ特性方程.分析认为制作过程中的金属工艺、烧结工艺和Zn扩散工艺等都会影响半导体激光器的电流分布及Ⅰ-Ⅴ特性.Ⅰ-Ⅴ特性测试可以用于半导体激光器的工艺监控与失效分析等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐现刚		77	407	10.0	16.0
3	王钢	中山大学物理科学与工程技术学院	23	81	6.0	7.0
4	张新		5	9	2.0	3.0
5	李沛旭		5	8	1.0	2.0
8	朱振	中山大学物理科学与工程技术学院	1	0	0.0	0.0