Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET

• 作者: 赵佶
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: VISHAY 低导通电阻 开关电源 栅极电荷 SMPS 首款 开关损耗 消费类产品 开关速度 反激
• 年，卷（期）: bdtxx_2014,（5）
• 页码范围: 8-9
• 页数: 2页
• 分类号: TN386

摘要

【正】2014年10月9日,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的500 V家族里首款MOSFET—SiHx25N50E,该器件具有与该公司600 V和650 V E系列器件相同的低导通电阻和低开关损耗优点。新器件的低导通电阻和栅极电荷在高功率、高性能的消费类产品、照明应用和ATX/桌面PC机开关电源(SMPS)里将起到节能的重要作用。