一种鱼骨型GaN HEMT分布式模型

• 作者: 崔玉兴 方家兴 杜光伟 武继斌 胡志富 蔡树军
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 高电子迁移率晶体管(HEMT) 模型 鱼骨型 分布式
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 671-673,698
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.09.007

摘要

基于传输线理论,推导了GaN HEMT沟道分布式等效电路模型,为有效提取GaNHEMT小信号模型参数提供了依据.设计了一种新颖的鱼骨型GaN HEMT器件结构,由于采用了较短的栅指,非常有利于纵向散热,与常规型HEMT器件结构相比,热阻有了明显改善,但也增加了建模的复杂度.采用分布式建模技术,为鱼骨型器件建立了一种分布式等效电路模型,模型在1～20 GHz内与实测S参数吻合较好,表明分布式建模技术可以用于准确地模拟鱼骨型GaNHEMT器件的高频特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡志富		4	3	1.0	1.0
2	蔡树军		18	62	4.0	7.0
3	崔玉兴		4	3	1.0	1.0
4	杜光伟		1	0	0.0	0.0
5	方家兴		1	0	0.0	0.0
6	武继斌		4	15	3.0	3.0