Cu（In，Al）（S，Se）2薄膜的三靶共溅射制备与性能表征

• 作者: 刘倩 朱成军 王靖宇 邱继芳
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳能电池 铜铟铝硫硒(CIASSe)薄膜 共溅射 硫硒化工艺
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 页码范围: 40-43
• 页数: 4页
• 分类号: TM615|TB43
• 字数: 2638字
• 语种: 中文

摘要

采用磁控三靶共溅射的方法在玻璃衬底上沉积出了Cu-In-Al预制膜，后经硫硒化工艺得到了Cu （In,Al）（S,Se）2（CIASSe）薄膜吸收层，并利用XRD、EDAX、紫外-可见分光光度计等对薄膜样品结构、成分和光电性能进行了表征。研究了溅射功率、硫硒化温度及时间等工艺参数对CIASSe薄膜的结构、成分及光电性能的影响。结果表明：在CIA30W，Al60W，Cu50W三靶共溅的组合功率下，在540℃热处理，20 min后所得薄膜为贫铜的黄铜矿结构，晶体的晶化较好，晶粒沿着（112）晶向择优生长，薄膜成分接近理想的化学计量比，表面致密均匀，且其光学带隙约为1.40 eV，是性能较为良好的太阳能吸收层薄膜。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱成军	内蒙古大学物理科学与技术学院内蒙古自治区半导体光伏技术重点实验室	3	3	1.0	1.0
2	刘倩	内蒙古大学物理科学与技术学院内蒙古自治区半导体光伏技术重点实验室	8	16	3.0	4.0
3	邱继芳	内蒙古大学物理科学与技术学院内蒙古自治区半导体光伏技术重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	王靖宇	内蒙古大学物理科学与技术学院内蒙古自治区半导体光伏技术重点实验室	1	0	0.0	0.0