具有电子阻挡层的2 μm InGaAsSb/AIGaAsSb量子阱激光器

• 作者: 刘国军 安宁 常量 李占国 马晓辉 魏志鹏
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 2 μm半导体激光器 电子阻挡层 阈值电流 特征温度
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1205-1209
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2575字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143510.1205

摘要

为了降低2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的阈值电流并获得良好的温度特性,在p型波导层及限制层之间引入AlGaAsSb电子阻挡层.采用理论计算方法模拟了电子阻挡层对InGaAsSb/AlGaAsSb LD输出特性的影响.研究结果表明:电子阻挡层结构可有效减少2μm InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的Auger复合,抑制量子阱中导带电子向p型限制层的溢出,降低器件的阈值电流,同时改善了温度敏感特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李占国	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	59	247	8.0	13.0
2	刘国军	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	62	303	9.0	14.0
3	安宁	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	7	11	2.0	2.0
4	魏志鹏	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	44	104	5.0	8.0
5	马晓辉	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	48	114	5.0	9.0
6	常量	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	1	3	1.0	1.0