深亚微米大容量PROM芯片ESD保护技术

• 作者: 彭锦军 李晓辉 樊利慧 裴国旭 邓玉良
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 物理学
• 关键词: 静电放电(ESD) 可编程只读存储器(PROM) 全芯片
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 587-590
• 页数: 4页
• 分类号: O472.8
• 字数: 1216字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2014.04.001

摘要

从全芯片角度出发，采用多电源ESD架构和全芯片ESD设计，对整颗芯片提供全方位的ESD保护，介绍了基于0.18μm CMOS工艺设计的大容量PROM芯片的ESD设计技术。同时，通过对高压编程引脚的ESD加固设计，提高了芯片的整体抗ESD能力。最终产品ESD测试满足项目要求。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓玉良		12	23	3.0	4.0
2	裴国旭		8	7	2.0	2.0
3	李晓辉		5	8	2.0	2.0
4	彭锦军		2	0	0.0	0.0
5	樊利慧		1	0	0.0	0.0