电感耦合等离子体原子发射光谱法测定太阳能级硅中硼

• 作者: 何丽雯 孙东亚
• 来源期刊: 冶金分析
• 学科: 化学
• 关键词: 电感耦合等离子体原子发射光谱法 太阳能级硅 洁净室 硼
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 页码范围: 42-46
• 页数: 5页
• 分类号: O657.31
• 字数: 2859字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13228/j.issn.1000-7571.2014.10.008

摘要

研究了用电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)测定太阳能级硅(SOG-Si)中硼的方法.试验发现,在110℃左右的温度下,用氢氟酸和硝酸的混合溶液作溶剂,试样在PFA烧杯中能较快溶解,且在溶样时添加0.3 mL甘露醇,可有效抑制硼的损失.在1000级洁净室中,用金属氧化物半导体(MOS)级试剂溶解电子级硅(EG-Si),可控制样品空白中硼元素含量小于1 μg/L,并能抑制部分基体效应.在仪器最佳工作状态下,选取B 182.641 nm作为分析谱线,方法的检出限为18.10 μg/L,回收率在92％～108％之间,相对标准偏差(RSD,n=11)不大于7.2％.样品中硼的测定结果与电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法及辉光放电质谱(GDMS)法进行了比对,结果吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙东亚	厦门理工学院材料科学与工程学院	10	20	3.0	4.0
2	何丽雯	华侨大学材料科学与工程学院	10	58	4.0	7.0