绝缘子表面污层位置对流注放电的影响

• 作者: 关志成 周军 孟晓波 朱博 梅红伟 王黎明
• 来源期刊: 高电压技术
• 关键词: 3电极结构 复合绝缘子 流注放电 污层位置 电场畸变 紫外图像
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 防雷与绝缘专题
• 页码范围: 655-661
• 页数: 7页
• 字数: 4398字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.2014.03.003

摘要

为研究流注的产生和传播对污闪过程的影响因素,利用3电极结构,通过光电倍增管得到的光脉冲信号来检测流注在极板间的传播过程,得到了流注的传播概率曲线和传播速度.通过比较测量结果,对绝缘子表面不同位置涂覆污秽层时的传播特性进行研究.研究表明:污秽带的位置对流注的稳定传播电场影响很大,污秽带涂覆在绝缘子表面上、中、下3个位置时,流注放电的稳定传播电场分别为503、598、646 kV/m;外加电场相同时,流注的传播速度随着污秽带向下移动而不断减小.仿真计算的结果表明:污秽带涂覆不同位置时绝缘子表面电场分布畸变很明显,污秽带位置不同,电场畸变也有所不同,在污层区域平均电场有明显减小.污层影响绝缘子表面的电场分布,导致流注传播特性产生变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王黎明	清华大学深圳研究生院	268	4672	36.0	52.0
2	关志成	清华大学深圳研究生院	227	4753	35.0	53.0
3	孟晓波	清华大学深圳研究生院	18	331	11.0	18.0
4	梅红伟	清华大学深圳研究生院	66	692	17.0	23.0
5	周军		42	596	14.0	22.0
6	朱博	清华大学深圳研究生院	2	11	2.0	2.0