强磁场作用时间对氧化法制备的Co掺杂ZnO薄膜微观结构和光学性能的影响

• 作者: 李国建 杜娇娇 王强 王慧敏 王振 赫冀成 马永会
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO薄膜 Zn氧化 透光率 强磁场 真空蒸发
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 页码范围: 1538-1542
• 页数: 5页
• 分类号: TB303
• 语种: 中文
• DOI: 10.11900/0412.1961.2014.00376

摘要

利用FESEM,XRD和紫外可见分光光度计研究了强磁场作用时间对真空蒸发氧化法制备的Co掺杂ZnO薄膜微观结构和光学性能的影响.结果表明:强磁场抑制了ZnO珊瑚枝状形貌的生长,氧化60 min时,无磁场下生长成球状颗粒,而6T磁场下则生长成片状组织.强磁场作用时间的增加会使薄膜的择优生长从(101)变成(002);影响磁性Co原子在ZnO中的分布;薄膜的禁带宽度降低到2.95～3.13 eV的范围内.另外,无磁场时氧化时间的增加会降低薄膜的透光率,而强磁场下氧化时间的增加会提高透光率.这些研究结果为ZnO薄膜表面形貌、择优生长、磁性原子分布、透光率和禁带宽度等微观结构和光学性能的调控提供了一种新方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赫冀成		320	2811	26.0	36.0
2	王强		112	750	15.0	23.0
3	王慧敏		6	9	2.0	3.0
4	王振		4	9	2.0	3.0
5	李国建		6	13	3.0	3.0
6	杜娇娇		2	0	0.0	0.0
7	马永会		4	7	1.0	2.0