触发管型气体开关的导通机制

• 作者: 李黎 林福昌 蔡礼
• 来源期刊: 高电压技术
• 关键词: 3电极开关 欠压比 击穿时延 Raether击穿判据 畸变电场 导通机制
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 气体放电及其应用
• 页码范围: 1275-1280
• 页数: 6页
• 字数: 4789字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.2014.04.047

摘要

为优化触发型3电极开关的性能,评估其击穿时延,分析了这种开关的导通机制.触发管型开关存在快导通(FBM)与慢导通(SBM)等2种导通机制.基于气体放电理论推导了触发管型气体开关的击穿时延模型,并分析了不同导通机制下的击穿过程.基于Raether击穿判据,计算了开关进入快导通机制的工作欠压比下限.实验得到,快、慢导通机制之间的欠压比阈值为0.7.开关内的等效电场可分解为静态畸变电场与动态畸变电场,结合时延模型能合理反映导通时延受工作条件与触发能量影响的动态过程.在快导通机制下,欠压比与静态电场增强系数起着主要影响;在慢导通机制下,除欠压比之外,触发脉冲能量的影响同样重要,此外还需考虑消游离对导通的影响.得到的结果可供提高触发管型气体开关的导通性能的设计与研究借鉴.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李黎	华中科技大学强电磁工程与新技术国家重点实验室	243	2673	28.0	39.0
2	林福昌	华中科技大学强电磁工程与新技术国家重点实验室	87	1184	16.0	32.0
3	蔡礼		7	6	1.0	2.0