基于GaAs衬底的晶格失配InAs0.07Sb0.93薄膜的红外探测特性

• 作者: 李志锋 王少伟 陈平平 黄亮
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: InAsSb薄膜 中波 红外探测器
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 958-962
• 分类号: TN215
• 语种: 中文

摘要

利用MBE的方法在晶格失配的GaAs衬底上制备了新型红外探测材料InAs0.07Sb0.93薄膜.并利用电子束刻蚀的方法在InAs0.07Sb0.93薄膜表面进行了电极的制备.使用标准黑体及傅里叶红外光谱仪对制备成的光电导器件的黑体响应、暗电流以及光电流谱进行了测试,结果表明,所制备的红外探测器获得了响应峰值为4μm、响应半峰宽为4 μm的中波宽带响应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄亮	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	21	290	6.0	17.0
2	李志锋	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	37	186	8.0	12.0
3	陈平平	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	6	8	2.0	2.0
4	王少伟	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	12	79	6.0	8.0