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F8BT∶P3HT共混薄膜的放大自发辐射
F8BT∶P3HT共混薄膜的放大自发辐射
作者:
侯延冰
娄志东
滕枫
秦亮
程浩
胡煜峰
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
放大的自发辐射
聚合物共混波导
阈值
发光效率
损耗系数
摘要:
研究了聚合物poly(9,9-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole)(F8BT)和poly(3-hexyhhiophene)(P3HT)共混薄膜的放大自发辐射(ASE)现象,对影响其阈值的两个因素——增益和损耗进行了详细的研究.结果显示,共混聚合物的发光效率随着P3HT所占比例的增加有所降低.当P3HT比例低于20%时,发光效率降低不多,而其损耗则随着P3HT的增加显著减小.F8BT和P3HT混合后,光损耗系数从7.8 cm-1下降到4 cm-1左右.这表明F8BT∶ P3HT共混聚合物光波导的ASE阈值降低主要是由于其损耗的降低而导致的.ASE阈值的降低预示该材料体系容易实现电泵浦激光.
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光电性能
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给受体共混质量比对P3HT∶PCBM薄膜结构和器件性能的影响
共混质量比
纳米尺度形貌
聚合物太阳能电池
熵值分析
能量转换效率
内容分析
文献信息
引文网络
相关学者/机构
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内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
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(/年)
文献信息
篇名
F8BT∶P3HT共混薄膜的放大自发辐射
来源期刊
发光学报
学科
物理学
关键词
放大的自发辐射
聚合物共混波导
阈值
发光效率
损耗系数
年,卷(期)
2014,(8)
所属期刊栏目
器件制备及器件物理
研究方向
页码范围
1003-1008
页数
6页
分类号
O484.4
字数
2082字
语种
中文
DOI
10.3788/fgxb20143508.1003
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
侯延冰
北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室
34
170
9.0
11.0
2
娄志东
北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室
13
71
5.0
8.0
3
程浩
北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室
2
6
2.0
2.0
4
胡煜峰
北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室
6
9
2.0
2.0
5
秦亮
北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室
2
5
1.0
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传播情况
被引次数趋势
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引文网络
引文网络
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二级引证文献(0)
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二级引证文献(1)
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引证文献(0)
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聚合物共混波导
阈值
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研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
发光学报
主办单位:
中国物理学会发光分会
中科院长春光机所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-7032
CN:
22-1116/O4
开本:
大16开
出版地:
长春市东南湖大路16号
邮发代号:
12-312
创刊时间:
1970
语种:
chi
出版文献量(篇)
4336
总下载数(次)
7
总被引数(次)
29396
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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