玉米CMS-C不育系及保持系vdac基因的克隆与表达分析

• 作者: 曹墨菊 汪生庆 王继玥
• 来源期刊: 核农学报
• 关键词: 玉米 CMS-C 电压依赖性阴离子通道 差异表达
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 所属期刊栏目: 植物诱变育种·农业生物技术
• 页码范围: 1162-1168
• 语种: 中文
• DOI: 10.11869/j.issn.100-8551.2014.07.1162

摘要

为了探讨玉米C胞质花粉败育的分子机制本研究利用RT-PCR技术在玉米不育系C48-2及保持系N48-2单核期花药中克隆了vdac1a和vdac1b基因.序列分析发现,C48-2和N48-2间vdac1b的序列完全一致,而vdac1a在C48-2和N48-2间存在单碱基差异.vdac1a推定蛋白质的生物信息学预测显示,相对于N48-2,C48-2编码的VDAC1a蛋白理化性质以及结构发生了变化,可能导致C48-2线粒体膜上电压依赖性阴离子通道(VDAC)关闭,活性氧(ROS)上升,线粒体渗透孔(PTP)持续开放,最终引起细胞凋亡.通过Real-Time qPCR检测了vdac1a基因在C48-2和N48-2小孢子发育的花粉母细胞时期、四分体时期、单核期以及双核期的表达情况.结果表明,相对于N48-2,花粉母细胞时期和双核期vdac1a基因在C48-2中上调表达.这些结果为进一步探索vdac1a基因差异表达与花粉败育的关系奠定基础.