InAs/GaSb 超晶格红外探测器台面的 ICP 刻蚀研究

• 作者: 满石清 赵前润 郝瑞亭 郭杰
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: InAs/GaSb 超晶格 ICP 刻蚀 刻蚀速率 表面形貌
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 工艺??技术
• 页码范围: 1122-1124,1128
• 页数: 4页
• 分类号: TN362|TN350.2
• 字数: 3032字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2014.01.027

摘要

采用分子束外延方法在 GaSb 衬底上生长InAs/GaSb 超晶格红外薄膜材料,为获得台面结构,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术和 Cl2/Ar 刻蚀气体,分别研究了不同刻蚀时间、不同气体比例及不同功率对 GaSb、InAs 及 InAs/GaSb 超晶格刻蚀速率和刻蚀形貌的影响。结果表明,由于刻蚀产物 InClx 的低挥发性阻挡了 Cl2的刻蚀,InAs 的刻蚀速率低于GaSb；Cl2比例在20％~40％时,刻蚀表面粗糙度最小,明显低于湿法腐蚀造成的表面损伤,有助于形成良好的欧姆接触和减小器件的表面漏电流。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	满石清	云南师范大学物理与电子信息学院	6	24	1.0	4.0
2	郝瑞亭	云南师范大学物理与电子信息学院	14	22	3.0	4.0
3	郭杰	云南师范大学物理与电子信息学院	15	24	3.0	4.0
4	赵前润	云南师范大学物理与电子信息学院	1	0	0.0	0.0