高温预生长对图形化蓝宝石衬底GaN薄膜质量的提高

• 作者: 杨光 王洪 章熙春 邵英华 陈科 黄华茂
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: LED GaN 图形化蓝宝石衬底 高温预生长
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 980-985
• 页数: 6页
• 分类号: TN303|TN304
• 字数: 2899字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143508.0980

摘要

在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(TMGa)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变TMGa流量制备了4个蓝光LED样品.MOCVD外延生长时使用激光干涉仪实时监测薄膜反射率,外延片使用高分辨率X射线衍射(002)面和(102)面摇摆曲线估算位错密度,并使用光致发光谱表征发光性能,制备成芯片后测试了正向电压和输出光功率.结果表明,高温预生长可促进薄膜的横向外延,使得三维岛状GaN晶粒在较小的薄膜厚度内实现岛间合并,有利于降低位错密度,提高外延薄膜质量,LED芯片的输出光功率的增强幅度达29.1％,而电学性能无恶化迹象;但高温预生长工艺中TMGa的流量应适当控制,过量的TMGa导致GaN晶粒过大,将延长岛间合并时间,降低晶体质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王洪	华南理工大学理学院物理系广东省光电工程技术研究开发中心	61	412	10.0	18.0
2	章熙春	华南理工大学理学院物理系广东省光电工程技术研究开发中心	24	257	9.0	16.0
3	杨光	华南理工大学理学院物理系广东省光电工程技术研究开发中心	7	21	3.0	4.0
4	黄华茂	华南理工大学理学院物理系广东省光电工程技术研究开发中心	13	58	5.0	7.0