圆柱形硅通孔的二维解析电容模型

• 作者: 喻文健 张青青 骆祖莹
• 来源期刊: 计算机学报
• 学科: 工学
• 关键词: 圆柱形硅通孔 三维芯片 解析模型 电容提取
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 所属期刊栏目: 芯片设计及嵌入式系统
• 页码范围: 1521-1527
• 页数: 7页
• 分类号: TN47
• 字数: 3943字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1016.2014.01521

摘要

精确提取三维芯片中硅通孔(Through Silicon Via,TSV)电容在三维芯片设计中至关重要.使用后钻孔工艺(Via last technology)制造的TSV将贯穿导体层,使得TSV和互连线之间的耦合电容需要精确建模.文中提出的解析公式方法可以快速提取圆柱形TSV与互连线间的二维耦合电容.对于较短的互连线,文中采用基于最小二乘拟合得到的解析公式,而对于较长的互连线,使用基于电场模拟得到的解析公式.数值实验表明和商业软件Raphael相比,文中方法可以在结果误差不超过9.1％的情况下获得至少三千倍的加速.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	骆祖莹	北京师范大学信息科学与技术学院	28	143	7.0	11.0
2	喻文健	清华大学计算机科学与技术系	29	100	5.0	8.0
3	张青青	北京师范大学信息科学与技术学院	1	2	1.0	1.0