Ga掺入对立方相MgZnO薄膜晶体结构的影响

• 作者: 张振中 李超群 申德振 谢修华 陈洪宇
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 立方相MgZnO Ga掺杂 晶体结构 相分离
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 922-925
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2059字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143508.0922

摘要

采用金属有机物化学气相沉积方法生长了立方相Mg0.56Zn0.44O∶Ga薄膜,Ga在MgZnO中的摩尔分数为2.8％ ～4.5％.低掺杂水平的MgZnO可以保持其良好的结晶特性.随着Ga元素的摩尔分数升高至3.1％、3.3％与4.5％,立方相MgZnO中分别出现了Ga2O3、ZnO与ZnGa2O4分相.其中,Ga2O3与ZnGa2O4相的出现是由于Ga的掺杂使这两相在MgZnO基质中饱和析出,而ZnO分相被归因于Ga的引入部分破坏了立方MgZnO的亚稳态结构状态,使组分原本就处于分相区的立方MgZnO出现相分离.