超级光阻剂可望在10nm节点实现EUV微影

• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 制造工艺 光阻剂 EUV微影
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 应用专题
• 页码范围: 30-30
• 页数: 1页
• 分类号: TN405
• 字数: 944字
• 语种: 中文

摘要

在英特尔(Intel)与美国能源部(DoE)劳伦斯柏克莱国家实验室(Lawrence Berkeley National Lab；LBNL)的合作下，已经发展出一种全新的超级光阻剂(super-resist)，可望满足10nm及其以下先进制程节点使用超紫外光(EUV)微影的光源要求。