电子束蒸发沉积制备碳化硼薄膜的化学结构研究

• 作者: 于小河 伍登学 卢铁城 廖志君 林涛 苏明甫 谢兰东
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硼薄膜 化学结构 反射红外 基片温度
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 页码范围: 563-568
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 2766字
• 语种: 中文
• DOI: 103969/j.issn.0490-6756.2014.03.27

摘要

采用了电子束蒸发在Si(100)片沉积了碳化硼(B4C)薄膜,并用傅里叶变换衰减全反射红外光谱(ATR FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)对薄膜样品组分和结构进行分析,以研究在不同基片温度和束流下对薄膜结构的影响.分析表明:薄膜中均含有1170 cm-1,1660cm-1两个特征峰,分别对应于碳化硼中正二十面体和三原子链的结构.不同基片温度对薄膜化学结构无影响;而不同束流,形成的结构不同,主要体现在碳化硼的特征结构(三原子链和正二十面体)的形成,随着束流的增大,薄膜中二十面体结构显著增多,B的流失减少.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	伍登学	四川大学物理与科学技术学院	21	74	5.0	8.0
5	林涛	四川大学物理与科学技术学院	101	538	14.0	18.0
6	廖志君	四川大学物理与科学技术学院	17	37	4.0	5.0
10	于小河	四川大学物理与科学技术学院	4	2	1.0	1.0
11	谢兰东	四川大学物理与科学技术学院	2	3	1.0	1.0
12	苏明甫	四川大学物理与科学技术学院	3	3	1.0	1.0