IGBT功耗计算及其优化的研究

• 作者: 王瑞
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: IGBT 静态功耗 动态功耗 MOSEET PSpice
• 年，卷（期）: 2014,（17）
• 所属期刊栏目: 电子技术应用
• 页码范围: 122-124
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.2-34
• 语种: 中文

摘要

绝缘栅双极晶体管（IGBT）因具备双极和功率MOSFET两种特性的独特优势，在超高电压电力传输、新能源的开发利用等方面获得广泛应用。但目前国内IGBT发展滞后，且其功耗性能及优化一直是国际上功率器件领域内研究的热点和难点。在先前研究的IGBT模型的基础上，对PSpice软件仿真所得的实验数据利用一种新的计算方法，对IGBT的静态功耗和动态功耗进行了定量计算，并与实际IGBT的功耗值进行对比。结果表明，两者的数据基本一致，同时对IGBT功耗的优化进行了探讨研究。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王瑞	宝鸡文理学院物理与信息技术系	19	56	5.0	6.0