MOCVD生长AlN的化学反应-输运过程数值模拟研究

• 作者: 刘鹏 卢钦 左然 张国义 童玉珍
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD 化学反应 AlN 数值模拟
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 页码范围: 1179-1185
• 页数: 7页
• 分类号: TN304
• 字数: 3383字
• 语种: 中文

摘要

针对垂直转盘式MOCVD反应器生长AlN的化学反应-输运过程进行数值模拟研究,特别探讨了反应室高度、操作压强和加合物衍生的三聚物对AlN生长的化学反应路径的影响.研究结果表明,AlN在MOCVD生长中以Al(CH3)3和NH3的加合路径为主,Al(CH3)3的热解路径很弱;加合路径衍生的二聚物是薄膜生长的主要前体,三聚物是纳米粒子的主要前体;降低反应室高度,寄生反应减弱,热解路径加强,使生长速率增大;增大压强,寄生反应加剧,使生长速率下降;添加由三聚物参加的表面反应后,生长速率提高了近4倍,证明三聚物不参加薄膜生长,只是提供纳米粒子前体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘鹏	北京大学物理学院	154	1275	17.0	33.0
2	张国义	北京大学物理学院	49	229	9.0	13.0
3	童玉珍	北京大学物理学院	16	63	5.0	7.0
4	左然	江苏大学能源与动力工程学院	69	606	14.0	22.0
5	卢钦	江苏大学能源与动力工程学院	1	12	1.0	1.0