堆叠栅介质对称双栅单Halo应变Si金属氧化物半导体场效应管二维模型?

• 作者: 刘红侠 王树龙 范小娇 辛艳辉
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 应变Si 单Halo 对称双栅 金属氧化物半导体场效应管
• 年，卷（期）: 2014,（24）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 248502-1-248502-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.248502

摘要

提出了一种堆叠栅介质对称双栅单Halo应变Si金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET)新器件结构。采用分区的抛物线电势近似法和通用边界条件求解二维泊松方程,建立了全耗尽条件下的表面势和阈值电压的解析模型。该结构的应变硅沟道有两个掺杂区域,和常规双栅器件(均匀掺杂沟道)比较,沟道表面势呈阶梯电势分布,能进一步提高载流子迁移率；探讨了漏源电压对短沟道效应的影响；分析得到阈值电压随缓冲层Ge组分的提高而降低,随堆叠栅介质高k层介电常数的增大而增大,随源端应变硅沟道掺杂浓度的升高而增大,并解释了其物理机理。分析结果表明：该新结构器件能够更好地减小阈值电压漂移,抑制短沟道效应,为纳米领域MOSFET器件设计提供了指导。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘红侠	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
2	辛艳辉	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	30	131	6.0	10.0
4	王树龙	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	4	5	2.0	2.0
7	范小娇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	5	9	2.0	2.0