退火温度对Ge/SiO2多层膜的结构和光学性能的影响

• 作者: 刘劲松 彭洁 李子全 蒋明 许奇
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: Ge/SiO2多层薄膜 射频磁控溅射 退火温度 UV-VIS光谱 小角度X射线衍射
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 材料与工艺
• 页码范围: 32-38
• 页数: 7页
• 分类号: O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.11868/j.issn.1001-4381.2014.09.006

摘要

采用磁控溅射技术在石英衬底上制备出(Ge/SiO2)15多层膜,并在不同温度下对其进行退火处理.XRD和Raman结果表明:溅射态的薄膜为非晶态,当退火温度为500℃时开始出现明显的结晶衍射峰,随后晶化率明显增大,当600℃后,薄膜的晶化率几乎不变.FESEM和小角度X射线衍射结果表明:溅射态薄膜的层与层之间存在明显的界面,具有良好的周期性,升高退火温度,晶粒尺寸增大,但仍保持周期性结构.薄膜的紫外可见光吸收光谱表明:随着退火温度的升高,吸收边发生红移,光学带隙从溅射态的1.86eV减小到600℃时的1.59eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李子全	南京航空航天大学材料科学与技术学院	72	607	13.0	22.0
3	刘劲松	南京航空航天大学材料科学与技术学院	39	197	7.0	13.0
6	蒋明	南京航空航天大学材料科学与技术学院	2	3	1.0	1.0
7	彭洁	南京航空航天大学材料科学与技术学院	2	3	1.0	1.0
8	许奇	南京航空航天大学材料科学与技术学院	1	1	1.0	1.0