关于塑封VDMOS器件热点的研究

• 作者: 刘肃 崔卫兵 徐冬梅 柴彦科 蒲年年 谭稀
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 功率晶体管 单雪崩能量测试 热点 失效分析
• 年，卷（期）: 2014,（17）
• 所属期刊栏目: 电子技术应用
• 页码范围: 113-116
• 页数: 4页
• 分类号: TN710-34
• 语种: 中文

摘要

功率VDMOS器件作为新一代高压大电流功率器件兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点，广泛应用于各个领域。由于功率VDMOS的工作条件恶劣，在高温大电压的应用环境下失效概率较大。在所有的失效机制中，很大一部分是由于器件无法承受瞬间高压脉冲，致使器件芯片烧坏失效。表现出的是在芯片某处产生一明显的烧穿点即所谓的“热点”。这里主要介绍了塑封VDMOS器件进行单雪崩能量测试过程和实际应用中不良品产生热点的原因，从二次击穿的角度对其进行理论解释并提出一些改进措施。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘肃	兰州大学微电子研究所	68	261	9.0	11.0
2	蒲年年	兰州大学微电子研究所	5	7	2.0	2.0
3	柴彦科	兰州大学微电子研究所	4	5	2.0	2.0
4	谭稀	兰州大学微电子研究所	2	2	1.0	1.0