瞬时大电流下微机电引信硅通孔封装的失效机理与实验研究

• 作者: 丁旭冉 刘芳怡 娄文忠 王瑛 王辅辅
• 来源期刊: 兵工学报
• 学科: 工学
• 关键词: 兵器科学与技术 引信 瞬时大电流 硅通孔 有限元仿真 电容放电
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 页码范围: 1356-1362
• 页数: 7页
• 分类号: TJ43|TN605
• 字数: 2764字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-1093.2014.09.005

摘要

随着引信向微型化、智能化、灵巧化发展,对引信采用三维封装是实现其小型化最为前景的技术.硅通孔(TSV)是三维封装的关键技术,广泛应用在微机电系统(MEMS)的集成中,具有封装尺寸小和能量消耗低的优点.研究了一种应用于MEMS引信的TSV三维封装技术,该MEMS引信的工作模式要求TSV在引信起爆控制时的瞬时大电流冲击下,电阻改变量在规定允许的范围内.利用有限元分析软件计算TSV在瞬时大电流下的升温曲线,并进行分组实验,对TSV分别施加40 V、330 μF电容放电条件,10V、330 μF电容放电条件和4V、100 μF电容放电条件.通过对比仿真结果与实验结果,得到TSV的潜在的失效模式和其承载瞬时大电流的能力.通过上述结论分析得出在10 V、330 μF电容放电条件和4V、100 μF电容放电条件下,TSV封装技术可以满足MEMS引信的正常工作.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	娄文忠	北京理工大学机电学院	39	156	7.0	10.0
2	王瑛	北京理工大学机电学院	9	119	6.0	9.0
3	王辅辅	北京理工大学机电学院	6	41	4.0	6.0
4	刘芳怡	北京理工大学机电学院	2	1	1.0	1.0
5	丁旭冉	北京理工大学机电学院	1	1	1.0	1.0