轻掺杂氢化非晶硅的制备与光电性能研究

• 作者: 王继岷 石兵 程自亮 蒋向东 邓宗权
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: PECVD 氢化非晶硅 硼掺杂 电导率 折射率
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 650-653
• 分类号: O484.1
• 语种: 中文

摘要

采用等离子体化学气相沉积(PECVD)法,以高纯度硅烷(SiH4)为反应气体,硼烷(B2H6)为掺杂气体,在ITO玻璃衬底上制备出硼轻掺杂浓度的氢化非晶硅(a-Si∶H)半导体薄膜.测量了样品的光暗电导率、折射率、消光系数、禁带宽度随掺杂浓度的变化.结果表明:随着硼掺杂浓度的增加,薄膜的暗电导率先减小后增大.消光系数、禁带宽度等都随着掺杂浓度的增加而变化.在不同工艺条件下,改变硼掺杂浓度,确定了最佳掺杂比(光暗电导率之比最大),制备出适合器件级轻掺杂氢化非晶硅薄膜光敏层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋向东	电子科技大学光电信息学院	34	154	6.0	10.0
2	石兵	电子科技大学光电信息学院	10	42	3.0	6.0
3	王继岷	电子科技大学光电信息学院	14	51	4.0	6.0
4	程自亮	电子科技大学光电信息学院	3	2	1.0	1.0
5	邓宗权	电子科技大学光电信息学院	2	13	1.0	2.0