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摘要:
为了更好的对CMOS图像传感器中光电二极管的光电转换物理现象进行研究,需要建立正确合适的光电二极管数学物理模型。通过少数载流子稳态连续方程建立光电二极管的一维物理模型,求解方程后,代入参数在MATLAB中对两层结构的n+/p- sub型和n- well/p- sub型,以及三层结构的p+/n- well/p- sub型二极管进行了计算模拟,得到了3种二极管响应率与波长的关系曲线。最后将结果与实际值进行了对比分析,确认了模型能够在一定程度上反映实际的物理情况。
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内容分析
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文献信息
篇名 CMOS图像传感器光电二极管模型?
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 CMOS 图像传感器 光电流 光电二极管 吸收系数
年,卷(期) 2014,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1039-1042
页数 4页 分类号 TP212.1|TN364.2
字数 2600字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2014.06.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 祁康成 电子科技大学光电信息学院 65 340 10.0 14.0
3 林祖伦 电子科技大学光电信息学院 76 442 10.0 15.0
5 叶祥平 电子科技大学光电信息学院 8 23 4.0 4.0
9 秦臻 电子科技大学光电信息学院 12 51 5.0 6.0
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研究主题发展历程
节点文献
CMOS
图像传感器
光电流
光电二极管
吸收系数
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
总被引数(次)
27643
论文1v1指导