溅射压强对ATO透明导电薄膜性能的影响

• 作者: 丁玲红 于仕辉 张伟风 杨啸威 杨文豪
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: Sb-SnO2薄膜 磁控溅射 溅射压强 光学性能 电学性能 透明导电
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 9-11
• 页数: 3页
• 分类号: TM242
• 字数: 2236字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2014.01.003

摘要

利用射频磁控溅射法在石英衬底上制备得到高质量的锑掺杂二氧化锡(ATO)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ATO薄膜的结构和光电性能的影响.结果表明:溅射压强对ATO薄膜的相结构、择优生长取向和结晶质量均有一定的影响.所制薄膜的电阻率随着溅射压强的增加有先减小后增大的规律,并在溅射压强为1 Pa时取得最小值(1.99×103Ω·cm).不同溅射压强下制备的薄膜在可见光区的透过率均在85％以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张伟风	河南大学物理与电子学院	66	248	8.0	10.0
2	杨啸威	河南大学物理与电子学院	1	3	1.0	1.0
3	杨文豪	河南大学物理与电子学院	1	3	1.0	1.0
4	于仕辉	河南大学物理与电子学院	3	11	3.0	3.0
5	丁玲红	河南大学物理与电子学院	21	95	6.0	8.0