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摘要:
采用电流-电压特性测试和X射线光电子能谱测试对Cu/Hg3In2Te6接触特性及其形成机制进行了研究.研究发现,当所加电压不超过10 V时,Cu/Hg3In2Te6接触的电流-电压特性曲线均呈现出良好的线性关系,表现为欧姆接触特性.经拟合,在1V、3V、5V和10 V电压下的Cu/Hg3In2Te6接触的欧姆特性系数分别为0.99995、0.99981、0.99968和0.99950.当电压增加至12 V及以上时,由于Cu/Hg3In2Te6接触势垒被击穿,导致Cu/Hg3In2Te6欧姆接触被破坏.通过X射线光电子能谱深度剖析,发现界面处的元素存在显著的扩散现象,因而导致界面元素的化学环境发生改变,引起了界面上各元素的结合能发生偏移,其中Cu2p结合能向高能方向偏移0.15 eV,而Te3d结合能向低能方向偏移0.15 eV.研究表明界面元素互扩散是促进Cu/Hg3In2Te6欧姆接触形成的主要原因.
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文献信息
篇名 Cu/Hg3In2Te6欧姆接触形成机制的研究
来源期刊 人工晶体学报 学科 工学
关键词 Hg3In2Te6 欧姆接触 X射线光电子能谱 界面扩散
年,卷(期) 2014,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1086-1091
页数 6页 分类号 TN304
字数 2786字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 傅莉 西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室 75 535 14.0 20.0
2 刘文波 西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室 1 0 0.0 0.0
3 李亚鹏 西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室 5 4 1.0 2.0
4 王晓珍 西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室 3 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
Hg3In2Te6
欧姆接触
X射线光电子能谱
界面扩散
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
论文1v1指导