Cu/Hg3In2Te6欧姆接触形成机制的研究

• 作者: 傅莉 刘文波 李亚鹏 王晓珍
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Hg3In2Te6 欧姆接触 X射线光电子能谱 界面扩散
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 页码范围: 1086-1091
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 2786字
• 语种: 中文

摘要

采用电流-电压特性测试和X射线光电子能谱测试对Cu/Hg3In2Te6接触特性及其形成机制进行了研究.研究发现,当所加电压不超过10 V时,Cu/Hg3In2Te6接触的电流-电压特性曲线均呈现出良好的线性关系,表现为欧姆接触特性.经拟合,在1V、3V、5V和10 V电压下的Cu/Hg3In2Te6接触的欧姆特性系数分别为0.99995、0.99981、0.99968和0.99950.当电压增加至12 V及以上时,由于Cu/Hg3In2Te6接触势垒被击穿,导致Cu/Hg3In2Te6欧姆接触被破坏.通过X射线光电子能谱深度剖析,发现界面处的元素存在显著的扩散现象,因而导致界面元素的化学环境发生改变,引起了界面上各元素的结合能发生偏移,其中Cu2p结合能向高能方向偏移0.15 eV,而Te3d结合能向低能方向偏移0.15 eV.研究表明界面元素互扩散是促进Cu/Hg3In2Te6欧姆接触形成的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅莉	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	75	535	14.0	20.0
2	刘文波	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
3	李亚鹏	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	5	4	1.0	2.0
4	王晓珍	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	3	0	0.0	0.0