W/TiO2/ITO薄膜的阻变性能及其机理研究

• 作者: 刘俊勇 周白杨 张维 李建新 邢昕
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: TiO2薄膜 阻变存储器 双极阻变 导电细丝
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 页码范围: 1080-1085
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 2493字
• 语种: 中文

摘要

采用磁控溅射方法沉积TiO2薄膜及电极层,制备W/TiO2/ITO薄膜阻变存储器单元.利用原子力显微镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪对薄膜进行表征,测试结果表明:TiO2薄膜表面平整、致密;组织结构以非晶为主,仅有少量的金红石相TiO2(110)面结晶;钛氧比为1∶1.92,其内部存在少量的氧空位.在电学测试中,元件呈现出了稳定的双极阻变现象,VSet分布在0.92 V左右,VReset分布在-0.82 V左右;元件窗口值稳定,数据保持特性良好.通过对元件Ⅰ-Ⅴ曲线线性拟合结果的分析,我们认为元件的阻变机理由导电细丝机制主导.进一步的分析发现,该导电细丝是由钨原子构成,钨原子在电场作用下发生氧化还原反应并在TiO2薄膜层中迁移,造成了导电细丝的形成和断裂.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周白杨	福州大学材料科学与工程学院	36	89	5.0	7.0
2	张维	福州大学材料科学与工程学院	5	14	2.0	3.0
3	李建新	福州大学材料科学与工程学院	9	21	2.0	4.0
4	邢昕	福州大学材料科学与工程学院	3	6	1.0	2.0
5	刘俊勇	福州大学材料科学与工程学院	3	6	1.0	2.0