GaSb/GaAs异质结热光伏电池材料的MBE生长

• 作者: 刘颖 徐应强 缪彦美 郝瑞亭 郭杰
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaSb 热光伏电池 分子束外延(MBE)
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 页码范围: 1076-1079,1085
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2567字
• 语种: 中文

摘要

利用分子束外延方法(MBE)在GaAs (001)衬底上外延生长了GaSb薄膜,并对GaSb薄膜进行了高温退火研究,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)、Hall效应(Hall Effect)和低温光荧光谱(LTPL)等手段对薄膜的晶体质量、电学性质和光学性质进行了研究.发现直接生长的GaSb膜表面平整,空穴迁移率较高.研究发现30 s、650℃的快速热退火可消除位错等缺陷,显著提高GaSb薄膜的光学质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝瑞亭	云南师范大学太阳能研究所可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室	14	22	3.0	4.0
5	郭杰	云南师范大学太阳能研究所可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室	15	24	3.0	4.0
6	刘颖	云南师范大学太阳能研究所可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室	10	16	3.0	4.0
7	缪彦美	云南师范大学太阳能研究所可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室	4	14	3.0	3.0