低能N+离子注入诱变选育云芝高产抗病菌株的研究

• 作者: 全卫丰 刘广建 季宏更 汪洁 蒋益 薛璟 郑惠华
• 来源期刊: 食用菌
• 关键词: 云芝 低能N+离子 诱变育种
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 育 种 驯 化
• 页码范围: 18-20
• 页数: 3页
• 字数: 4235字
• 语种: 中文

摘要

应用低能N+离子注入筛选所得高产抗病融合云芝菌株原生质体进行诱变，以获得一株产量更高，抗病性更强，适用于栽培的诱变菌株。试验确定了低能N+离子注入的适宜参数：注入剂量为9×1014 ions/cm2，注入能量20 KeV，靶室真空度10-3 Pa，以5 s脉冲式注入，间隔时间为15 s。离子注入后，筛选酯酶同工酶酶谱存在显著差异和拮抗实验呈阳性的突变菌株，分别以液体发酵生物量及固体栽培子实体转化率、对病菌平均抗性水平为初筛和复筛标准，经遗传稳定性实验验证，筛选到了一株云芝高产抗病菌株，其子实体产量较对照菌株提高了10.3%，抗病水平提高了5%。结果表明：低能N+离子束注入是一种较为理想的云芝诱变育种手段。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘广建		17	70	5.0	7.0
2	汪洁		19	74	5.0	7.0
3	全卫丰		15	80	6.0	8.0
4	季宏更		15	57	5.0	6.0
5	薛璟		19	74	5.0	7.0
6	郑惠华		37	194	9.0	12.0
7	蒋益		11	41	4.0	6.0