梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg0.3Zn0.7O 薄膜外延生长

• 作者: 刘可为 刘益春 刘雷 单崇新 姜明明 张吉英 张振中 李炳辉 王双鹏 王立昆 申德振 赵东旭 郑剑 韩舜
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 立方MgZnO 缓冲层 带隙调制
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 1040-1045
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4
• 字数: 4198字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143509.1040

摘要

为了实现MgZnO合金带隙全跨度调制,利用低压MOCVD设备,在c面蓝宝石衬底上采用MgO籽晶层和组分渐变缓冲层控制立方相MgxZn1-xO薄膜的生长,获得了Zn组分达到0.7的单一立方相MgxZn1-xO薄膜,把MgZnO合金带隙调制范围从MgO一侧扩展到了4.45eV,覆盖了整个日盲紫外波段。对比实验分析表明,这种高Zn组分立方相MgZnO薄膜的生长得益于缓冲层晶格模板的结构诱导作用和适宜的生长温度(350~400℃)。Mg0.3Zn0.7O基MSM结构紫外探测器响应峰位于270nm,截止波长295nm。