基于CMOS工艺钨微测辐射热计阵列集成芯片的设计与制作

• 作者: 余隽 唐祯安 申宁
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS红外探测器 钨微测辐射热计 表面牺牲层技术 低成本红外探测器 红外焦平面阵列
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 传感器研究
• 页码范围: 725-729
• 页数: 5页
• 分类号: TN215
• 字数: 3168字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2014.06.004

摘要

采用0.5μm标准CMOS工艺和微机械加工工艺,设计并制作了低成本4×4钨微测辐射热计阵列集成芯片。阵列中每个钨微测辐射热计均由微悬桥结构和钨热敏电阻组成,CMOS读出电路集成在阵列下方。微悬桥结构由表面牺牲层技术实现,不需要任何的光刻工艺。钨微测辐射热计像元尺寸为100μm×100μm,填充因子为20%。测试结果表明,在真空环境下,钨微测辐射热计等效热导为1.31×10-4 W/K,等效热容为1.74×10-7 J/K,热时间常数为1.33 ms。当红外光源的斩波频率为10 Hz时,钨微测辐射热计的电压响应率为1.91×103 V/W,探测率为1.88×107 cm·Hz1/2/W。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐祯安	大连理工大学电子科学与技术学院	142	1281	17.0	29.0
2	余隽	大连理工大学电子科学与技术学院	37	252	7.0	14.0
3	申宁	大连理工大学电子科学与技术学院	3	14	2.0	3.0