氧离子后处理对氧化铟锡(ITO)薄膜电学和光学性能的影响

• 作者: 周灵平 彭坤 朱家俊 李德意 郭向茹
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ITO薄膜 电子束蒸发 氧离子束 方块电阻 透过率
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 页码范围: 1037-1042
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 2365字
• 语种: 中文

摘要

采用氧离子束对电子束蒸发制备且退火后的氧化铟锡(ITO)薄膜进行轰击后处理.经XPS检测发现氧元素在薄膜内含量增加,在深度方向上的梯度差下降.表面Sn4+含量增加,即掺杂离子浓度和载流子浓度提高,从而使薄膜方块电阻显著降低.当氧离子继续轰击时,薄膜的方块电阻保持平稳;同时,透过率曲线蓝移,紫外波段(300～400 nm)的平均透过率提高而可见光范围内(400 ～800 nm)的平均透过率略有下降,这种变化缘于薄膜的禁带宽度与折射率的增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周灵平	湖南大学材料科学与工程学院	48	322	11.0	16.0
2	李德意	湖南大学材料科学与工程学院	44	411	11.0	19.0
3	彭坤	湖南大学材料科学与工程学院	36	254	8.0	15.0
4	朱家俊	湖南大学材料科学与工程学院	28	127	6.0	10.0
5	郭向茹	湖南大学材料科学与工程学院	1	2	1.0	1.0