考虑缺陷率模型的多项目晶圆布图规划算法

• 作者: 史峥 廖海涛 张腾
• 来源期刊: 计算机工程
• 学科: 工学
• 关键词: 多项目晶圆 布图规划 模拟退火算法 代价函数 缺陷率模型 布图尺寸约束
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 开发研究与工程应用
• 页码范围: 258-261,268
• 页数: 5页
• 分类号: TP301.6
• 字数: 3458字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3428.2014.04.050

摘要

针对随机缺陷会降低多项目晶圆实际产出的问题,提出一种新的多项目晶圆布图规划算法.通过在布图规划中引入缺陷率模型的方法,增加芯片产量的裕量,降低因随机缺陷造成的产量损失.同时优化模拟退火流程,使得在布图尺寸约束条件下,布图规划过程能够跳出局部最优解陷阱.对工业实例进行布图规划的结果表明,该算法能够接受不满足布图尺寸约束条件的中间结果,从而遍历解空间,得到全局最优的布图,并且相对已有算法,使用相同数量晶圆进行切割时,算法的布图结果增加了137％的芯片产量的总裕量,同时,降低了25％的工作芯片所需要生产的晶圆数量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史峥	浙江大学电气工程学院超大规模集成电路设计研究所	51	176	7.0	11.0
2	张腾	浙江大学电气工程学院超大规模集成电路设计研究所	3	0	0.0	0.0
3	廖海涛	浙江大学电气工程学院超大规模集成电路设计研究所	2	0	0.0	0.0