In掺杂对MVB-Te溶剂法生长的ZnTe晶体光电性能的影响

• 作者: 介万奇 刘航 徐亚东 杨睿
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MVB-Te溶剂法 In掺杂 红外透过显微成像 Ⅰ-Ⅴ测试 Hall测试
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 页码范围: 1023-1028,1036
• 页数: 7页
• 分类号: O731
• 字数: 3187字
• 语种: 中文

摘要

采用Te溶剂结合改进的垂直布里奇曼法(MVB)制备了In:ZnTe与ZnTe晶体,并对晶体的光学与电学特性进行了表征.通过红外透过显微成像技术观察了In:ZnTe与ZnTe中的Te夹杂并进行了统计分析,发现In掺杂未对ZnTe中的Te夹杂的分布和尺寸产生显著影响.红外透过光谱分析表明,In:ZnTe与ZnTe晶体的红外透过率曲线均表现出平直的趋势,且其平均透过率基本相等,约为60％,进一步表明In的掺入并未导致严重的晶格和杂质吸收.然而,Ⅰ-Ⅴ测试分析发现,In掺杂使得ZnTe晶体的电阻率提高了5个数量级.同时Hall测试分析表明,In:ZnTe与ZnTe晶体均为p型导电,In掺杂很大程度上补偿了晶体中的Vzn,使得晶体中的载流子浓度降低了4个数量级.对比了两种晶体的紫外-可见-近红外透过光谱,可以观察到,In掺杂使ZnTe的吸收边从550 nm红移到560nm,这可能是由于In掺杂引入的浅能级导致的吸收边带尾现象造成的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	272	1636	19.0	27.0
2	刘航	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	47	492	11.0	21.0
3	徐亚东	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	23	70	5.0	7.0
4	杨睿	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	8	13	2.0	3.0