SiC衬底上生长的GaN外延层的高分辨X射线衍射分析

• 作者: 于国建 徐明升 徐现刚 胡小波
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 高分辨X射线衍射 SiC衬底 GaN外延层
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 页码范围: 1017-1022
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2933字
• 语种: 中文

摘要

通过高分辨X射线衍射(HRXRD)技术,对金属有机化合物气相外延(MOCVD)生长的GaN外延膜及SiC衬底的相对取向,晶格常数和应力情况,位错密度等进行了分析.分析表明,GaN和SiC具有一致的a轴取向,GaN外延层弛豫度超过90％,GaN外延层的晶格常数与体块材料相近,在GaN中存在压应力,SiC衬底和GaN外延层中的位错密度分别为107和108量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡小波	山东大学晶体材料国家重点实验室	67	321	9.0	14.0
2	徐现刚	山东大学晶体材料国家重点实验室	77	407	10.0	16.0
6	徐明升	山东大学晶体材料国家重点实验室	5	14	3.0	3.0
10	于国建	山东大学晶体材料国家重点实验室	2	6	2.0	2.0