电极材料对IGZO薄膜晶体管性能的影响

• 作者: 刘冲 杨帆 贾卓 邓宏 韦敏
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: IGZO 接触电阻 TLM理论 功函数
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1365-1369
• 页数: 5页
• 分类号: TN321+.5
• 字数: 2165字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143511.1365

摘要

采用射频磁控溅射方法在n型硅片上制备了底栅顶结构的铟镓锌氧-薄膜晶体管( IGZO-TFT)。分别采用Au、Cu、Al 3种金属材料作为电极,研究不同电极材料对IGZO薄膜晶体管性能的影响。器件的输出特性和转移特性测试结果表明：以Au为电极的IGZO-TFT具有最佳的性能,其饱和输出电流达到17.9μA,开关比达到1.4×106。基于功函数比较分析了3种电极的接触特性,根据TLM(Transmission line model)理论推算得出Au电极具有三者中最小的接触电阻。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓宏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	72	653	14.0	22.0
2	韦敏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	15	131	7.0	11.0
3	杨帆	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	36	128	7.0	9.0
4	贾卓	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	11	2.0	3.0
5	刘冲	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	21	3.0	4.0