新型氨气等离子体有机材料刻蚀工艺研究

• 作者: 刘志强 王兆祥 秦阿宾 苏兴才
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体工艺 刻蚀 氨气等离子体 底部抗发射层
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 应用专题
• 页码范围: 28-32
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 字数: 2142字
• 语种: 中文

摘要

本文系统研究了氨气等离子体进行有机材料(BARC)的刻蚀,研究了工艺参数:压力,静电吸盘温度对刻蚀的影响.使用氨气可以得到高的刻蚀速率,通过刻蚀参数的控制,可以在保持光刻胶顶部形貌的条件下得到直的侧壁形貌.发射光谱的研究显示,NH3等离子体中的活性组分为H+和NH+.H+是刻蚀的主要活性物种,NH自由基会产生CN聚合物保护刻蚀目标的侧壁.