V高掺杂ZnO最小光学带隙和吸收光谱的第一性原理研究

• 作者: 侯清玉 毛斐 赵春旺 郭少强
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: V高掺杂ZnO 光学带隙 吸收光谱 第一性原理
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 107101-1-107101-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.107101

摘要

对于V高掺杂ZnO,当摩尔分数为0.0417—0.0625时,随着掺杂量的增加,吸收光谱出现蓝移减弱和蓝移增强两种不同实验结果均有文献报道.采用密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,构建未掺杂ZnO单胞模型、V高掺杂Zn1?xVxO (x=0.0417,0.0625)两种超胞模型,采用GGA+U 方法计算掺杂前后体系的形成能、态密度、分波态密度、磁性和吸收光谱.结果表明,当V的掺杂量(原子含量)为2.083%—3.125%时,随着V掺杂量增加,掺杂体系磁矩增大,磁性增强,并且掺杂体系体积增加,总能量下降,形成能减小,掺杂体系更稳定,同时,掺杂ZnO体系的最小光学带隙增宽,吸收带边向低能级方向移动.上述计算结果与实验结果一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯清玉	内蒙古工业大学理学院	43	191	7.0	9.0
2	赵春旺	内蒙古工业大学理学院	58	247	9.0	12.0
3	郭少强	内蒙古工业大学理学院	3	18	3.0	3.0
4	毛斐	内蒙古工业大学理学院	2	8	2.0	2.0