硫酸特布他林分子印迹电极的制备与性能研究

• 作者: 杜宇 申贵隽
• 来源期刊: 分析试验室
• 学科: 化学
• 关键词: 硫酸特布他林 分子印迹 电聚合 差分脉冲法
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 研究报告与研究简报
• 页码范围: 733-736
• 页数: 4页
• 分类号: O657.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.13595/j.cnki.issn1000-0720.2014.0173

摘要

采用分子印迹技术,以邻苯二胺为功能单体,在玻碳电极表面电聚合成聚邻苯二胺分子印迹敏感膜.K3[Fe(CN)6]作为探针分子,通过循环伏安法、差分脉冲法对该电极进行考察.结果表明:电极对硫酸特布他林具有较好的灵敏度与选择性,线性范围为1.52×10-8～1.05×10-6mol/L,检出限(S/N=3)为1.2×10-8mol/L,电极具有良好的重现性与稳定性.将电极用于实际样品的分析,方法回收率为98.4％～107.9％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	申贵隽		35	92	6.0	8.0
2	杜宇		1	0	0.0	0.0