PbS纳米晶修饰的ZnO/PVP复合电双稳器件阻变机制

• 作者: 姜立芳 徐建萍 朱明雪 李岚 洪源 王有为 王雪亮 石庆良
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电双稳器件 ZnO纳米晶 阻变机制 PbS纳米晶修饰层
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 846-852
• 页数: 7页
• 分类号: O472+.4|O469
• 字数: 3733字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143507.0846

摘要

采用简单旋涂工艺制备了具有ITO/PVP/ZnO NCs/PbS NCs/PVP/Al 夹心结构的有机/无机复合电双稳存储器件,与没有PbS纳米晶修饰层的器件ITO/PVP/ZnO NCs/PVP/Al相比,PbS纳米晶的引入使目标器件的开关比提高了2个数量级。结合器件的I-V曲线和能级结构分析了PbS 纳米晶修饰层对器件阻变和载流子传输的影响。结果显示,PbS纳米晶层的加入不仅优化了器件能级结构,有利于载流子的俘获和释放,还修饰了ZnO纳米晶的表面缺陷,降低了器件载流子的复合损耗。