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摘要:
基于标准CMOS工艺,可实现单结深光电二极管传感器(p+/n-well、n-well/p-sub和n+/p-sub)和双结深光电二极管传感器(p+/n-well/p-sub).建立了双结深光电二极管传感器的光电响应数学模型,仿真了四种结构的光敏响应.采用上华0.5 μm CMOS工艺实现了p+/n-well和p+/n-well/p-sub两种结构,传感面积为100μm×100μm.p+/n-well型结构在400 nm波长,60 lux光强下光电流为1.55 nA,暗电流为13 pA,p+/n-well/p-sub型结构在同等条件下光电流为2.15 nA,暗电流为11 pA.测试表明,设计的双结深光电传感器具有更高的灵敏度,可用于微弱的生物荧光信号检测.
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文献信息
篇名 用于生物荧光检测的高灵敏CMOS双结深光电传感器设计
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 双结深 光电二极管 灵敏度 CMOS
年,卷(期) 2014,(4) 所属期刊栏目 光电器件
研究方向 页码范围 585-588
页数 分类号 TN491
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李如春 浙江工业大学通信与电子系 40 143 7.0 10.0
2 施朝霞 浙江工业大学通信与电子系 19 25 3.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
双结深
光电二极管
灵敏度
CMOS
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
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