AlN隔离层生长时间对AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性能的影响

• 作者: 张宝顺 朱启发 范亚明 邓旭光 邢艳辉 钟林健 陈翔 韩军
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlN厚度 PALE MOCVD HEMT 电学性能
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 830-834
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2324字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143507.0830

摘要

利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备,在蓝宝石(0001)面上外延不同生长时间AlN隔离层的Alx Ga1-x N/AlN/GaN结构的高电子迁移率的晶体管( HEMT),研究了AlN隔离层厚度对HEMT材料电学性能的影响。研究发现采用脉冲法外延(PALE)技术生长AlN隔离层的时间为12 s(1 nm左右)时,HEMT材料的方块电阻最小,电子迁移率为1500 cm2·V-1·s-1,二维电子气(2DEG)浓度为1.16伊1013 cm-2。 AFM测试结果表明,一定厚度范围内的AlN隔离层并不会对材料的表面形貌产生重大的影响。 HRXRD测试结果表明,AlGaN/AlN/GaN具有好的异质结界面。