SiC晶片研磨加工亚表面损伤深度的研究

• 作者: 张银霞 杨乐乐 王栋 苏建修 郜伟
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiC晶片 研磨加工 损伤深度 固结磨料
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 页码范围: 1500-1503,1508
• 页数: 5页
• 分类号: O433.4
• 字数: 2267字
• 语种: 中文

摘要

SiC晶片研磨加工表面层损伤深度直接影响后续抛光加工的成本和效率,但SiC单晶是典型的难加工材料,亚表面损伤检测极为困难.文中利用截面显微检测技术对SiC晶片研磨加工亚表面损伤深度进行了检测分析,并研究了研磨方式、工艺参数对损伤深度的影响及晶片上损伤深度的分布规律.结果表明,同样的研磨工艺参数条件下,固结磨料研磨SiC晶片损伤深度略小于游离磨料研磨晶片的损伤深度.固结磨料研磨时,随着磨料粒度从W7增大到W28,损伤深度由3.0 μm增大到4.7 μm.随着研磨压力从1 psi增大到3 psi,晶片损伤深度从4.1 μm增大到4.9 μm.在整个晶片上,损伤深度由中心向边缘沿径向逐渐增大,增大幅度约为0.6～1.0 μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苏建修	河南科技学院机电学院	43	283	9.0	15.0
2	王栋	郑州大学机械工程学院	77	246	8.0	10.0
3	张银霞	郑州大学机械工程学院	37	170	8.0	11.0
4	郜伟	郑州大学机械工程学院	16	101	5.0	9.0
5	杨乐乐	郑州大学机械工程学院	7	41	4.0	6.0